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半導體先進封裝等離子表面處理解決方案

2024年以來,人工智能步入以生成式AI為核心的發展新階段,AI手機、AI PC、AIoT等終端產品應用需求激增,對封測技術提出了更為嚴格的要求。

在摩爾定律放緩、芯片先進制程接近物理極限的背景下,先進封裝技術成為半導體行業的發展新焦點。

一、先進封裝與等離子技術

先進封裝的必要性

與傳統封裝相比,先進封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗、功能集成的優勢,在確保成本可控的前提下,可以提升芯片間互聯的密度與速度,從而滿足日益增長的芯片性能需求。

此外,先進封裝技術還促進了新材料、新工藝和新設備的研發與應用,為半導體產業帶來了新的增長點。

等離子技術優勢

在先進封裝領域,等離子技術是提高材料表面活性和改善界面粘附力的關鍵,能夠確保封裝結構的穩定性和可靠性。

憑借低溫處理、高能量密度、可控性強、兼容性高、處理均勻等優勢,等離子技術有助于提高生產效率,降低成本,推動封裝技術向更高密度、更可靠性的方向發展,在先進封裝中發揮著關鍵作用。

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針對半導體行業可解決FC倒裝、晶圓PLASMA去殘膠、WB/DB鍵合前處理、晶圓表面活化。

二、等離子處理在先進封裝中的應用

在先進封裝中,等離子技術主要用于底部填充(Underfill)工藝、凸點(Bumping)工藝、再布線層(RDL)技術等。

●倒裝(Flip-Chip)工藝

通過將芯片倒裝在基板上,利用焊球或凸塊替代金屬引線連接,具有連接密度更高、互聯距離更短的優勢。

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為了提高倒裝的穩定性,通常會在倒裝后的芯片與基板之間采用填充膠加固,從而降低芯片與基板之間的熱膨脹系數差,提高封裝穩定性和可靠性


●凸塊(Bumping)工藝

凸塊(Bumping)工藝廣泛用于FC、WLP、CSP、3D等先進封裝中,凸塊是指生長于芯片表面,與芯片焊盤直接或間接相連的具有金屬導電特性的突起物。

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為了實現更好的焊接效果,在焊接前使用等離子進行表面活化,改善焊盤表面潤濕性,從而提高焊盤與凸塊之間的焊接牢固性,提升后續封裝質量。

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